RRB JE CBT-2 Electronics · 22 Apr 2025 · Shift 2 — Electrical Engineering (part 2)

RRB Junior Engineer (JE) · previous year paper

50 Electrical Engineering questions from RRB JE CBT-2 Electronics · 22 Apr 2025 · Shift 2, with answers and Hindi and English explanations.

51.

एक आदर्श डायोड 1 kΩ लोड प्रतिरोधक के साथ श्रेणी क्रम में जुड़ा हुआ है और इसकी निवेश वोल्टता V(t) = sin²(t) + cos²(t) V है। लोड प्रतिरोधक में औसत निर्गम वोल्टता ज्ञात कीजिए।

An ideal diode is connected in series with a 1 kΩ load resistor and its input voltage is V(t) = sin²(t) + cos²(t) V. Find the average output voltage across the load resistor.

(A)
+1 V
(B)
+1/2 V
(C)
0 V
(D)
औसत वोल्टता निर्धारित नहीं किया जा सकता है
Average voltage cannot be determined

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Answer: (A)

+1 V

sin²(t) + cos²(t) = 1, अतः इनपुट स्थिर +1 V DC है। आदर्श डायोड अग्र अभिनत है और उस पर कोई वोल्टता नहीं गिरती, इसलिए लोड पर स्थिर +1 V आता है और औसत +1 V है।

sin²(t) + cos²(t) = 1, so the input is a constant +1 V DC. The ideal diode is forward biased with zero drop, so the load gets a steady +1 V and the average is +1 V.

52.

उभयनिष्ठ-उत्सर्जक (CE) BJT प्रवर्धक के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा कथन गलत है?

Which of the following statements is incorrect regarding a common-emitter (CE) BJT amplifier?

(A)
निवेशी अभिलक्षणों को स्थिर VCE पर निवेशी धारा (IB) और निवेशी वोल्टता (VBE) के बीच खींचा जाता है।
The input characteristics are plotted between the input current (IB) and the input voltage (VBE) at a constant VCE.
(B)
निर्गम अभिलक्षणों को नियत निवेशी धारा पर निर्गम धारा (IC) और निर्गम वोल्टता (VCE) के बीच खींचा जाता है।
The output characteristics are plotted between the output current (IC) and the output voltage (VCE) at a constant input current.
(C)
इसमें मध्यम निवेशी प्रतिबाधा और मध्यम निर्गम प्रतिबाधा होती है।
It has a moderate input impedance and a moderate output impedance.
(D)
CE प्रवर्धक का उपयोग छोटे सिग्नल प्रवर्धक के रूप में नहीं किया जा सकता है।
A CE amplifier cannot be used as a small-signal amplifier.

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Answer: (D)

CE प्रवर्धक का उपयोग छोटे सिग्नल प्रवर्धक के रूप में नहीं किया जा सकता है।

A CE amplifier cannot be used as a small-signal amplifier.

CE विन्यास सबसे अधिक प्रयुक्त लघु-सिग्नल प्रवर्धक है क्योंकि यह वोल्टता और धारा दोनों लब्धि देता है, अतः यह कहना कि इसे लघु-सिग्नल प्रवर्धक के रूप में प्रयोग नहीं किया जा सकता, गलत है।

The CE configuration is the most widely used small-signal amplifier because it gives both voltage and current gain, so saying it cannot be used as a small-signal amplifier is incorrect.

53.

एक धनात्मक कोर-ट्रिगर (positive edge-triggered) T फ्लिप-फ्लॉप में T = 1 है। यदि वर्तमान निर्गम Q, 0 है, तो 3 क्लॉक स्पंदों के बाद निर्गम Q क्या होगा?

A positive edge-triggered T Flip-Flop has T = 1. If the current output Q is 0, what will be the output Q after 3 clock pulses?

(A)
0
(B)
अपरिवर्तित
Unchanged
(C)
1
(D)
टॉगल (Toggles)
Toggles

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Answer: (C)

T = 1 होने पर प्रत्येक क्लॉक एज पर आउटपुट टॉगल होता है। Q = 0 से आरंभ: पहला पल्स → 1, दूसरा → 0, तीसरा → 1। अतः 3 पल्स के बाद Q = 1।

With T = 1 the output toggles on every clock edge. Starting from Q = 0: 1st pulse → 1, 2nd → 0, 3rd → 1. So after 3 pulses Q = 1.

54.

VSB (अवशोषी पार्श्व बैंड) मॉडुलन का प्राथमिक अनुप्रयोग क्या है?

What is the primary application of VSB (Vestigial Side Band) modulation?

(A)
FM रेडियो प्रसारण
FM radio broadcasting
(B)
टेलीविजन सिग्नल ट्रांसमिशन
Television signal transmission
(C)
उपग्रह संचार
Satellite communication
(D)
टेलीफोनिक संचार
Telephonic communication

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Answer: (B)

टेलीविजन सिग्नल ट्रांसमिशन

Television signal transmission

VSB मॉड्यूलेशन में एक पूरा साइडबैंड और दूसरे का केवल अंश (vestige) भेजा जाता है, जिससे बैंडविड्थ बचती है और निम्न वीडियो आवृत्तियाँ भी रहती हैं; इसका उपयोग टेलीविजन (वीडियो) सिग्नल प्रसारण में होता है।

VSB modulation transmits one full sideband and only a vestige of the other, saving bandwidth while keeping low video frequencies; it is used for television (video) signal transmission.

55.

_______ इंटरप्ट, एक पॉजिटिव एज सेंसिटिव इंटरप्ट (positive edge sensitive interrupt) है और इसे एक लघु स्पंद (short pulse) के साथ ट्रिगर किया जा सकता है।

_______ interrupt is a positive edge sensitive interrupt and can be triggered with a short pulse.

(A)
RST 6.5
(B)
RST 7.5
(C)
RST 5.5
(D)
RST 4.5

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Answer: (B)

RST 7.5

8085 में RST 7.5 धनात्मक एज-ट्रिगर है और आंतरिक रूप से लैच होता है, इसलिए छोटा पल्स भी इसे ट्रिगर कर देता है। RST 6.5 और RST 5.5 लेवल-ट्रिगर हैं, और RST 4.5 नाम का पिन नहीं है।

In the 8085, RST 7.5 is positive edge-triggered and latched internally, so even a short pulse triggers it. RST 6.5 and RST 5.5 are level-triggered, and there is no RST 4.5 pin.

56.

PLL की प्रग्रहण सीमा आवृत्ति (Capture range frequency) _______।

The capture range frequency of a PLL _______.

(A)
धारिता के मान के व्युत्क्रमानुपाती होती है
is inversely proportional to the value of capacitance
(B)
धारिता के मान पर निर्भर नहीं करती है
does not depend on the value of capacitance
(C)
धारिता के मान के अनुक्रमानुपाती होती है
is directly proportional to the value of capacitance
(D)
धारिता के वर्गमूल मान के व्युत्क्रमानुपाती होती है
is inversely proportional to the square root of the value of capacitance

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Answer: (D)

धारिता के वर्गमूल मान के व्युत्क्रमानुपाती होती है

is inversely proportional to the square root of the value of capacitance

कैप्चर रेंज fc = ± (1/2π) × √(2π × fL ÷ τ), जहाँ τ = RC लो-पास फिल्टर का समय नियतांक है। अतः fc ∝ 1/√C, अर्थात यह धारिता के वर्गमूल के व्युत्क्रमानुपाती है।

Capture range fc = ± (1/2π) × √(2π × fL ÷ τ), where τ = RC is the low-pass filter time constant. So fc ∝ 1/√C, i.e. it is inversely proportional to the square root of the capacitance.

57.

8051 माइक्रोकंट्रोलर में पोर्ट ______ का कोई ड्यूल फंक्शन (dual function) नहीं है।

The Port ______ in the 8051 microcontroller has no dual functions.

(A)
1
(B)
2
(C)
3
(D)
0

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Answer: (A)

8051 में पोर्ट 0 मल्टीप्लेक्स्ड एड्रेस/डेटा बस, पोर्ट 2 उच्च एड्रेस बाइट और पोर्ट 3 इंटरप्ट, टाइमर व सीरियल लाइनों का दोहरा कार्य करते हैं। पोर्ट 1 साधारण I/O पोर्ट है जिसका कोई दोहरा कार्य नहीं है।

In the 8051, Port 0 doubles as the multiplexed address/data bus, Port 2 as the higher address byte and Port 3 for interrupts, timers and serial lines. Port 1 is a plain I/O port with no dual function.

58.

निकल-आयरन सेल (Nickel-Iron cell) में, निरावेशन (discharging) प्रक्रिया के दौरान कार्य-सिद्धांत का सर्वोत्तम वर्णन निम्नलिखित में से कौन-सा करता है?

In a Nickel-Iron cell, which of the following best describes the working principle during the discharging process?

(A)
धनात्मक इलेक्ट्रोड पर निकल अपचयित होकर धात्विक निकल बन जाता है, और ऋणात्मक इलेक्ट्रोड पर आयरन हाइड्रॉक्साइड का ऑक्सीकरण होता है।
Nickel at the positive electrode is reduced to metallic nickel, and iron hydroxide at the negative electrode is oxidised.
(B)
ऋणात्मक इलेक्ट्रोड पर आयरन का ऑक्सीकरण होकर आयरन ऑक्साइड बनता है, और धनात्मक इलेक्ट्रोड पर निकल अपचयित होकर निकल हाइड्रॉक्साइड बन जाता है।
Iron at the negative electrode is oxidised to iron oxide, and nickel at the positive electrode is reduced to nickel hydroxide.
(C)
धनात्मक इलेक्ट्रोड पर निकल हाइड्रॉक्साइड अपचयित होकर धात्विक निकल बन जाता है, और ऋणात्मक इलेक्ट्रोड पर आयरन का ऑक्सीकरण होता है।
Nickel hydroxide at the positive electrode is reduced to metallic nickel, and iron is oxidised at the negative electrode.
(D)
ऋणात्मक इलेक्ट्रोड पर आयरन अपचयित होकर धात्विक आयरन बन जाता है, और धनात्मक इलेक्ट्रोड पर निकल हाइड्रॉक्साइड का ऑक्सीकरण होता है।
Iron at the negative electrode is reduced to metallic iron, and nickel hydroxide at the positive electrode is oxidised.

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Answer: (B)

ऋणात्मक इलेक्ट्रोड पर आयरन का ऑक्सीकरण होकर आयरन ऑक्साइड बनता है, और धनात्मक इलेक्ट्रोड पर निकल अपचयित होकर निकल हाइड्रॉक्साइड बन जाता है।

Iron at the negative electrode is oxidised to iron oxide, and nickel at the positive electrode is reduced to nickel hydroxide.

Ni-Fe (एडिसन) सेल के डिस्चार्ज में ऋणात्मक प्लेट का लोहा आयरन हाइड्रॉक्साइड/ऑक्साइड में ऑक्सीकृत होता है, जबकि धनात्मक प्लेट का निकेल ऑक्सीहाइड्रॉक्साइड निकेल हाइड्रॉक्साइड में अपचयित होता है; विद्युत-अपघट्य KOH है।

In a Ni-Fe (Edison) cell on discharge, iron at the negative plate is oxidised to iron hydroxide/oxide, while nickel oxyhydroxide at the positive plate is reduced to nickel hydroxide; KOH is the electrolyte.

59.

प्रोटेक्शन रिले सिस्टम में वरणात्मकता से तात्पर्य, _______ से है।

In a protection relay system, selectivity refers to _______.

(A)
रिले की केवल विशिष्ट दोष प्रकारों के लिए काम करने की क्षमता
the ability of the relay to operate only for specific types of faults
(B)
रिले की सभी दोष स्थितियों के लिए न्यूनतम समय विलंब के साथ काम करने की क्षमता
the ability of the relay to operate with minimum time delay for all fault conditions
(C)
रिले की शेष सिस्टम को प्रभावित किए बिना दोषों को दूर करने की क्षमता
the ability of the relay to clear faults without affecting the rest of the system
(D)
रिले की दोष और सामान्य स्थितियों के बीच भेद करने की क्षमता
the ability of the relay to distinguish between fault and normal conditions

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Answer: (C)

रिले की शेष सिस्टम को प्रभावित किए बिना दोषों को दूर करने की क्षमता

the ability of the relay to clear faults without affecting the rest of the system

चयनात्मकता (selectivity) सुरक्षा प्रणाली की वह क्षमता है जिससे वह केवल दोषपूर्ण भाग को अलग करती है और शेष स्वस्थ प्रणाली चालू रहती है।

Selectivity (discrimination) is the ability of the protection system to isolate only the faulty section, leaving the healthy rest of the system in service.

60.

निम्नलिखित में से कौन-सा पदार्थ, सामान्यतः अपनी उच्च चालकता और संक्षारण प्रतिरोध के कारण विद्युत चालकों के लिए उपयुक्त माना जाता है?

Which of the following materials is generally considered suitable for electrical conductors due to its high conductivity and corrosion resistance?

(A)
तांबा
Copper
(B)
इस्पात
Steel
(C)
मैंगनीन
Manganin
(D)
सोना
Gold

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Answer: (A)

तांबा

Copper

ताँबे की चालकता बहुत अधिक, संक्षारण प्रतिरोध अच्छा, तन्यता अच्छी और लागत उचित है, अतः यह मानक चालक पदार्थ है। सोना संक्षारण-रोधी है पर बहुत महँगा है; स्टील और मैंगनिन दुर्बल चालक हैं।

Copper has very high conductivity, good corrosion resistance, ductility and reasonable cost, so it is the standard conductor material. Gold resists corrosion but is too costly; steel and manganin are poor conductors.

61.

IC 723 का उपयोग मुख्य रूप से ________ के रूप में किया जाता है।

The IC 723 is primarily used as a ________.

(A)
क्लैम्पर (clamper)
clamper
(B)
क्लि पर (clipper)
clipper
(C)
दिष्टकारी (rectifier)
rectifier
(D)
वोल्टता नियामक (voltage regulator)
voltage regulator

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Answer: (D)

वोल्टता नियामक (voltage regulator)

voltage regulator

IC 723 एक सामान्य-उद्देश्य समायोज्य रैखिक वोल्टता नियामक IC है जो लगभग 2 V से 37 V तक दे सकता है; इसमें आंतरिक संदर्भ, त्रुटि प्रवर्धक और धारा सीमन होता है।

IC 723 is a general-purpose adjustable linear voltage regulator IC that can supply roughly 2 V to 37 V, with an internal reference, error amplifier and current limiting.

62.

रेक्टिफायरों (दिष्टकारियों) के बारे में निम्नलिखित में से कौन-सा कथन गलत है?

Which of the following statements about rectifiers is INCORRECT?

(A)
ब्रिज और मध्य-टैपित दिष्टकारी, दोनों के लिए ट्रांसफॉर्मर उपयोग गुणक (TUF) समान होता है।
The transformer utilization factor (TUF) is equal for both the bridge and center-tapped rectifier.
(B)
मध्य-टैपित ट्रांसफॉर्मर की द्वितीयक कुंडली का प्रत्येक आधा भाग केवल आधे समय के लिए ही उपयोग किया जाता है।
Each half of the secondary winding of a center-tapped transformer is utilised for only half the time.
(C)
अर्ध-तरंग दिष्टकारी की तुलना में पूर्ण-तरंग दिष्टकारी के लिए ट्रांसफॉर्मर उपयोग गुणक (TUF) अधिक होता है।
The transformer utilization factor (TUF) is higher for a full-wave rectifier compared to a half-wave rectifier.
(D)
मध्य-टैपित दिष्टकारी की तुलना में ब्रिज दिष्टकारी के लिए ट्रांसफॉर्मर उपयोग गुणक (TUF) बेहतर होता है।
The transformer utilization factor (TUF) is better for a bridge rectifier compared to a center-tapped rectifier.

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Answer: (A)

ब्रिज और मध्य-टैपित दिष्टकारी, दोनों के लिए ट्रांसफॉर्मर उपयोग गुणक (TUF) समान होता है।

The transformer utilization factor (TUF) is equal for both the bridge and center-tapped rectifier.

ब्रिज दिष्टकारी का TUF लगभग 0.812 और सेंटर-टैप्ड दिष्टकारी का लगभग 0.693 होता है, अतः दोनों बराबर नहीं हैं। इसलिए दोनों का TUF बराबर होने वाला कथन गलत है।

TUF of a bridge rectifier is about 0.812 while that of a centre-tapped rectifier is about 0.693, so they are not equal. Hence the statement that both TUFs are equal is incorrect.

63.

0.7 V के निम्न चालक वोल्टता (cut-in voltage) के साथ एक व्यावहारिक सिलिकॉन डायोड निम्नानुसार जुड़ा हुआ है: P-टर्मिनल (ऐनोड) → ग्राउंड (0V) N-टर्मिनल (कैथोड) → +10V दिया गया है कि डायोड के माध्यम से प्रवाहित धारा 1 µA है, तो पश्च अभिनत डायोड में DC प्रतिरोध कितना है?

A practical silicon diode with a cut-in voltage of 0.7 V is connected as follows: P-terminal (anode) → Ground (0 V), N-terminal (cathode) → +10 V. If the current flowing through the diode is 1 µA, what is the DC resistance of the reverse-biased diode?

(A)
10 MΩ
(B)
9.30 MΩ
(C)
10.7 MΩ
(D)
−9.30 MΩ

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Answer: (A)

10 MΩ

एनोड 0 V और कैथोड +10 V पर है, अतः डायोड पश्च अभिनत है और उस पर 10 V है; यहाँ कट-इन वोल्टता लागू नहीं होती। R = V ÷ I = 10 ÷ (1 × 10⁻⁶) = 10 × 10⁶ Ω = 10 MΩ।

Anode at 0 V and cathode at +10 V means the diode is reverse biased with 10 V across it, so the cut-in voltage does not apply. R = V ÷ I = 10 ÷ (1 × 10⁻⁶) = 10 × 10⁶ Ω = 10 MΩ.

64.

प्राथमिकता कोडक (priority encoder) में, जब दो या अधिक निवेश लाइनें एक ही समय पर सक्रिय हों, तो क्या होता है?

In a priority encoder, what happens when two or more input lines are active at the same time?

(A)
कोडक सबसे कम प्राथमिकता वाले सक्रिय निवेश के लिए बाइनरी कोड निर्गत करेगा।
The encoder will output the binary code for the lowest priority active input.
(B)
कोडक त्रुटि निर्गत करेगा।
The encoder will output an error.
(C)
कोडक सबसे अधिक प्राथमिकता वाले सक्रिय निवेश के लिए बाइनरी कोड निर्गत करेगा।
The encoder will output the binary code for the highest priority active input.
(D)
कोडक दोनों प्राथमिकता वाले सक्रिय निवेशों के लिए बाइनरी कोड निर्गत करेगा।
The encoder will output the binary code for both the priority active inputs.

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Answer: (C)

कोडक सबसे अधिक प्राथमिकता वाले सक्रिय निवेश के लिए बाइनरी कोड निर्गत करेगा।

The encoder will output the binary code for the highest priority active input.

प्रायोरिटी एनकोडर इनपुटों को प्राथमिकता देता है; कई इनपुट एक साथ सक्रिय होने पर यह सर्वोच्च प्राथमिकता वाले सक्रिय इनपुट का बाइनरी कोड देता है और निम्न प्राथमिकता वालों को छोड़ देता है।

A priority encoder ranks its inputs; when several inputs are active together, it outputs the binary code of the active input with the highest priority and ignores the lower ones.

65.

C में, sizeof ऑपरेटर का उद्देश्य क्या है?

In C, what is the purpose of the sizeof operator?

(A)
कंपाइल टाइम पर मेमोरी का नियतन (allocate) करना
To allocate memory at compile time
(B)
बाइट्स में डेटा टाइप या वेरिएबल का आकार निर्धारित करना
To determine the size of a data type or variable in bytes
(C)
बिट्स में डेटा टाइप या वेरिएबल का आकार निर्धारित करना
To determine the size of a data type or variable in bits
(D)
मेमोरी को डायनामिक रूप से नियतन (allocate) करना
To allocate memory dynamically

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Answer: (B)

बाइट्स में डेटा टाइप या वेरिएबल का आकार निर्धारित करना

To determine the size of a data type or variable in bytes

sizeof, C का एक कंपाइल-टाइम ऑपरेटर है जो किसी डेटा टाइप या वेरिएबल का आकार बाइट में देता है, जैसे sizeof(int) प्रायः 4 होता है। यह मेमोरी आवंटित नहीं करता।

sizeof is a compile-time operator in C that returns the size of a data type or variable in bytes, for example sizeof(int) is commonly 4. It does not allocate memory.

66.

PLL परिपथ का उपयोग करके AM संसूचन (detection) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही है? S1: इसमें पारंपरिक शिखर संसूचक प्रकार AM संसूचक की तुलना में उच्च रव अप्रभावित (higher noise immunity) है। S2: PLL, AM सिग्नल की वाहक आवृत्ति पर बद्ध है।

Which of the following statements is correct regarding AM detection using a PLL circuit? S1: It has higher noise immunity than a conventional peak detector type AM detector. S2: The PLL is locked to the carrier frequency of the AM signal.

(A)
केवल S1
Only S1
(B)
न तो S1 और न ही S2
Neither S1 nor S2
(C)
केवल S2
Only S2
(D)
S1 और S2 दोनों
Both S1 and S2

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Answer: (D)

S1 और S2 दोनों

Both S1 and S2

सही उत्तर: S1 और S2 दोनों (आधिकारिक उत्तर कुंजी)।

Correct answer: Both S1 and S2 (official answer key).

67.

अनगाइडेड मीडिया (unguided media) में माइक्रोवेव के संबंध में, निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?

Which of the following is true regarding microwaves in unguided media?

(A)
वे डेटा ट्रांसमिशन के लिए फाइबर ऑप्टिक्स का उपयोग करते हैं।
They use fibre optics for data transmission.
(B)
वे इमारतों या पहाड़ियों जैसी बाधाओं से प्रभावित नहीं होते हैं।
They are not affected by obstacles like buildings or hills.
(C)
वे रेडियो तरंगों से धीमी होती हैं।
They are slower than radio waves.
(D)
इन्हें लाइन-ऑफ-साइट ट्रांसमिशन (line-of-sight transmission) की आवश्यकता होती है।
They require line-of-sight transmission.

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Answer: (D)

इन्हें लाइन-ऑफ-साइट ट्रांसमिशन (line-of-sight transmission) की आवश्यकता होती है।

They require line-of-sight transmission.

माइक्रोवेव सीधी रेखा में चलती हैं और इमारतें व पहाड़ियाँ इन्हें रोक देती हैं, इसलिए माइक्रोवेव लिंक में प्रेषी और ग्राही एंटेना के बीच दृष्टि-रेखा (line-of-sight) आवश्यक है।

Microwaves travel in straight lines and are blocked by buildings and hills, so microwave links need line-of-sight between the transmitting and receiving antennas.

68.

C में निम्नलिखित में से कौन-सा एकल (unary) संकारक है?

Which of the following is a unary operator in C?

(A)
--
(B)
+
(C)
*
(D)
%

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Answer: (A)

डिक्रीमेंट ऑपरेटर -- केवल एक ऑपरेंड पर कार्य करता है (x-- या --x), अतः यह यूनरी ऑपरेटर है। % सदैव बाइनरी है, और सामान्य अंकगणित में + और * भी बाइनरी हैं।

The decrement operator -- works on a single operand (x-- or --x), so it is a unary operator. % is always binary, and + and * are binary in normal arithmetic use.

69.

परावैद्युत सामर्थ्य (dielectric strength) विद्युतरोधी पदार्थों का एक महत्वपूर्ण गुण है। निम्नलिखित में से कौन-सा किसी पदार्थ की परावैद्युत सामर्थ्य का सर्वोत्तम वर्णन करता है?

Dielectric strength is an important property of insulating materials. Which of the following best describes the dielectric strength of a material?

(A)
प्रतिबल के अंतर्गत किसी पदार्थ की विद्युत चालकता
The electrical conductivity of a material under stress
(B)
वह अधिकतम वोल्टता जिसे कोई परावैद्युत पदार्थ बिना भंजन (breakdown) के सह सकता है
The maximum voltage a dielectric material can withstand without breaking down
(C)
वह ऊष्मा जिसे कोई पदार्थ पिघलने से पहले सह सकता है
The amount of heat a material can tolerate before melting
(D)
तापीय प्रसार के प्रति किसी पदार्थ का प्रतिरोध
The resistance of a material to thermal expansion

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Answer: (B)

वह अधिकतम वोल्टता जिसे कोई परावैद्युत पदार्थ बिना भंजन (breakdown) के सह सकता है

The maximum voltage a dielectric material can withstand without breaking down

परावैद्युत सामर्थ्य वह अधिकतम विद्युत क्षेत्र (प्रति इकाई मोटाई वोल्टता) है जिसे कोई विद्युतरोधी पदार्थ भंजन (breakdown) के बिना सह सकता है; इसे प्रायः kV/mm में व्यक्त करते हैं।

Dielectric strength is the maximum electric field (voltage per unit thickness) an insulating material can withstand without breaking down, usually given in kV/mm.

70.

n-बिट SIPO शिफ्ट रजिस्टर में n बिट लोड करने के लिए कितने क्लॉक स्पंद आवश्यक हैं?

How many clock pulses are required to load n bits into an n-bit SIPO shift register?

(A)
n²
(B)
2n
(C)
n
(D)
2ⁿ

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Answer: (C)

सीरियल-इन पैरेलल-आउट रजिस्टर में प्रत्येक क्लॉक पल्स पर एक बिट अंदर शिफ्ट होता है, अतः n बिट लोड करने के लिए n क्लॉक पल्स चाहिए।

In a serial-in parallel-out register one bit is shifted in on each clock pulse, so n clock pulses are needed to load n bits.

71.

BJT को उभयनिष्ठ आधार (common-base) प्रवर्धक के रूप में विन्यस्त किया गया है; निम्नलिखित में से कौन-सा कथन गलत है?

A BJT is configured as a common-base amplifier; which of the following statements is INCORRECT?

(A)
यह उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
It is suitable for high-frequency applications.
(B)
CB विन्यास में वोल्टता लब्धि बहुत अधिक होती है।
The voltage gain in a CB configuration is very high.
(C)
जब ट्रांजिस्टर संतृप्ति क्षेत्र में होता है, तब CB विन्यास प्रवर्धक के रूप में कार्य करता है।
The CB configuration operates as an amplifier when the transistor is in the saturation region.
(D)
यदि दोनों संधियाँ पश्च अभिनत हों, तो यह ऑफ स्विच के रूप में कार्य करता है।
It works as an off switch if both junctions are reverse biased.

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Answer: (C)

जब ट्रांजिस्टर संतृप्ति क्षेत्र में होता है, तब CB विन्यास प्रवर्धक के रूप में कार्य करता है।

The CB configuration operates as an amplifier when the transistor is in the saturation region.

BJT केवल सक्रिय क्षेत्र (एमिटर जंक्शन अग्र, कलेक्टर जंक्शन पश्च अभिनत) में प्रवर्धन करता है। संतृप्ति में यह बंद स्विच की तरह व्यवहार करता है, अतः संतृप्ति में प्रवर्धक वाला कथन गलत है।

A BJT amplifies only in the active region (emitter junction forward, collector junction reverse biased). In saturation it behaves as a closed switch, so the saturation-amplifier statement is incorrect.

72.

3-टु-8 डिकोडर में, किसी भी दिए गए इनपुट के लिए कितने आउटपुट सक्रिय होते हैं?

In a 3-to-8 decoder, how many outputs are active for any given input?

(A)
2
(B)
8
(C)
3
(D)
1

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Answer: (D)

3-से-8 डिकोडर प्रत्येक 3-बिट इनपुट संयोजन को अपने 8 आउटपुट में से ठीक एक पर डिकोड करता है, अतः एक समय में केवल 1 आउटपुट सक्रिय होता है।

A 3-to-8 decoder decodes each 3-bit input combination to exactly one of its 8 outputs, so only 1 output is active at a time.

73.

SNMP एजेंट, SNMP मैनेजर के साथ कैसे संचार करता है?

How does the SNMP Agent communicate with the SNMP Manager?

(A)
एन्क्रिप्टेड डेटा स्ट्रीम उत्पन्न करके
By generating encrypted data streams
(B)
SNMP मैनेजर से प्राप्त GET और SET अनुरोधों का उत्तर देकर
By responding to GET and SET requests from the SNMP Manager
(C)
TCP कनेक्शन आरंभ करके
By initiating a TCP connection
(D)
FTP के माध्यम से फ़ाइलें भेजकर
By sending files via FTP

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Answer: (B)

SNMP मैनेजर से प्राप्त GET और SET अनुरोधों का उत्तर देकर

By responding to GET and SET requests from the SNMP Manager

प्रबंधित डिवाइस पर स्थित SNMP एजेंट, SNMP मैनेजर के GET और SET अनुरोधों का (UDP पर) उत्तर देता है और MIB मान लौटाता या बदलता है; यह ट्रैप भी भेज सकता है।

An SNMP agent on the managed device answers GET and SET requests from the SNMP manager (over UDP), returning or changing MIB values; it can also send traps.

74.

प्रवर्धक के रूप में कार्यरत द्विध्रुवी संधि ट्रांजिस्टर (BJT) के लिए, निम्नलिखित में से कौन-सा विकल्प गलत है?

For a bipolar junction transistor (BJT) working as an amplifier, which of the following options is INCORRECT?

(A)
PNP ट्रांजिस्टर की उत्सर्जक संधि के लिए, P-टर्मिनल धनात्मक वोल्टता से तथा N-टर्मिनल ऋणात्मक वोल्टता से जुड़ा होता है।
For the emitter junction of a PNP transistor, the P-terminal is connected to positive voltage, and the N-terminal is connected to negative voltage.
(B)
NPN ट्रांजिस्टर की संग्राहक संधि के लिए, P-टर्मिनल धनात्मक वोल्टता से तथा N-टर्मिनल ऋणात्मक वोल्टता से जुड़ा होता है।
For the collector junction of an NPN transistor, the P-terminal is connected to positive voltage, and the N-terminal is connected to negative voltage.
(C)
NPN ट्रांजिस्टर की उत्सर्जक संधि के लिए, P-टर्मिनल धनात्मक वोल्टता से तथा N-टर्मिनल ऋणात्मक वोल्टता से जुड़ा होता है।
For the emitter junction of an NPN transistor, the P-terminal is connected to positive voltage, and the N-terminal is connected to negative voltage.
(D)
PNP ट्रांजिस्टर की संग्राहक संधि के लिए, N-टर्मिनल धनात्मक वोल्टता से तथा P-टर्मिनल ऋणात्मक वोल्टता से जुड़ा होता है।
For the collector junction of a PNP transistor, the N-terminal is connected to positive voltage, and the P-terminal is connected to negative voltage.

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Answer: (B)

NPN ट्रांजिस्टर की संग्राहक संधि के लिए, P-टर्मिनल धनात्मक वोल्टता से तथा N-टर्मिनल ऋणात्मक वोल्टता से जुड़ा होता है।

For the collector junction of an NPN transistor, the P-terminal is connected to positive voltage, and the N-terminal is connected to negative voltage.

प्रवर्धक के रूप में कलेक्टर जंक्शन पश्च अभिनत होना चाहिए। NPN ट्रांजिस्टर में कलेक्टर जंक्शन का P भाग बेस है; P को धनात्मक और N को ऋणात्मक करने से यह अग्र अभिनत हो जाएगा, अतः यह कथन गलत है।

As an amplifier the collector junction must be reverse biased. In an NPN transistor the collector junction's P side is the base; making P positive and N negative would forward bias it, so that statement is incorrect.

75.

यदि किसी C प्रोग्राम में केवल एक फंक्शन है, तो वह __________ होना चाहिए।

If a C program contains only one function, it must be __________.

(A)
primary()
(B)
void()
(C)
major()
(D)
main( )

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Answer: (D)

main( )

प्रत्येक C प्रोग्राम का निष्पादन main() से आरंभ होता है, इसलिए यदि प्रोग्राम में केवल एक फ़ंक्शन है तो वह main() ही होना चाहिए।

Every C program starts execution from main(), so if a program has only one function, that function must be main().

76.

स्पंद स्थिति मॉडुलन (Pulse Position Modulation, PPM) का संसूचन (विमॉडुलन) करने के लिए निम्नलिखित में से किस घटक की आवश्यकता होती है? a) स्पंद जनित्र (Pulse Generator) b) RS फ्लिप-फ्लॉप c) PWM विमॉडुलक

Which of the following components is required to detect (demodulate) Pulse Position Modulation (PPM)? a) Pulse Generator b) RS Flip-Flop c) PWM Demodulator

(A)
केवल a
Only a
(B)
a, b और c सभी
All a, b, and c
(C)
केवल c
Only c
(D)
केवल a और b
Only a and b

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Answer: (B)

a, b और c सभी

All a, b, and c

PPM का डिमॉड्यूलेशन पहले उसे PWM में बदलकर किया जाता है: पल्स जनित्र और RS फ्लिप-फ्लॉप संदर्भ और PPM पल्सों से PWM पल्स बनाते हैं, फिर PWM डिमॉड्यूलेटर संदेश प्राप्त करता है। अतः a, b और c तीनों आवश्यक हैं।

PPM is demodulated by first converting it to PWM: a pulse generator and an RS flip-flop produce PWM pulses from the reference and PPM pulses, and a PWM demodulator then recovers the message. So all a, b and c are needed.

77.

C में, कंडीशनल ऑपरेटर (? :) की लिमिटेशन क्या है?

In C, what is the limitation of the conditional operator (? :)?

(A)
इसे नेस्ट (nest) नहीं किया जा सकता।
It cannot be nested.
(B)
यह ? और : के बाद केवल एक स्टेटमेंट की सुविधा प्रदान करता है।
It allows only one statement after ? and :.
(C)
इसका उपयोग लूप के अंदर नहीं किया जा सकता।
It cannot be used inside a loop.
(D)
इसका उपयोग केवल पूर्णांक मानों के साथ किया जा सकता है।
It can only be used with integer values.

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Answer: (B)

यह ? और : के बाद केवल एक स्टेटमेंट की सुविधा प्रदान करता है।

It allows only one statement after ? and :.

कंडीशनल ऑपरेटर condition ? expr1 : expr2 में ? और : के बाद केवल एक व्यंजक लिखा जा सकता है, इसलिए यह if-else की तरह कई कथनों के ब्लॉक नहीं रख सकता।

The conditional operator condition ? expr1 : expr2 allows only a single expression after ? and after :, so it cannot hold blocks of multiple statements the way if-else can.

78.

PNP ट्रांजिस्टर में, जब उत्सर्जक संधि अग्र अभिनत हो और संग्राहक संधि पश्च अभिनत हो, तो निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही है?

In a PNP transistor, when the emitter junction is forward biased and the collector junction is reverse biased, which of the following statements is correct?

(A)
PNP ट्रांजिस्टर में, धारा मुख्य रूप से N-प्रकार के आधार में इलेक्ट्रॉनों के कारण प्रवाहित होती है।
In a PNP transistor, current mainly flows due to electrons in the N-type base.
(B)
N-प्रकार के आधार की अवक्षय चौड़ाई, P-प्रकार के संग्राहक की अवक्षय चौड़ाई से कम होती है।
The depletion width of the N-type base is smaller than that of the P-type collector.
(C)
संग्राहक धारा, बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक धाराओं का योग होती है।
The collector current is the sum of the majority and minority currents.
(D)
प्रयुक्त वोल्टता बढ़ने पर उत्सर्जक संधि का अवक्षय क्षेत्र बढ़ता है।
The depletion region of the emitter junction increases as the applied voltage increases.

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Answer: (C)

संग्राहक धारा, बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक धाराओं का योग होती है।

The collector current is the sum of the majority and minority currents.

सक्रिय क्षेत्र में कलेक्टर धारा IC = αIE + ICBO होती है: बहुसंख्यक वाहकों (एमिटर से आए होल) की धारा और अल्पसंख्यक वाहकों की पश्च क्षरण धारा का योग। अतः IC बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक धाराओं का योग है।

In the active region the collector current is IC = αIE + ICBO: the majority-carrier (holes from emitter) component plus the reverse leakage current of minority carriers. So IC is the sum of majority and minority currents.

79.

दोष संरक्षण के लिए प्रयुक्त दूरी रिले (distance relay) से निम्नलिखित में से कौन-सा अभिलक्षण संबंधित है?

Which of the following characteristics is associated with a distance relay used for fault protection?

(A)
यह रिले और दोष के बीच की प्रतिबाधा के आधार पर प्रचालित होता है।
It operates based on the impedance between the relay and the fault.
(B)
इसका उपयोग केवल लघुपथन सुरक्षा के लिए किया जाता है।
It is used only for short-circuit protection.
(C)
यह केवल धारा के आधार पर प्रचालित होता है।
It operates based on the current only.
(D)
यह दोष स्थल पर वोल्टता के आधार पर प्रचालित होता है।
It operates based on the voltage at the fault location.

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Answer: (A)

यह रिले और दोष के बीच की प्रतिबाधा के आधार पर प्रचालित होता है।

It operates based on the impedance between the relay and the fault.

दूरी रिले अपने स्थान पर V/I अनुपात, अर्थात दोष तक लाइन की प्रतिबाधा मापता है, जो दोष की दूरी के समानुपाती होती है, और यह मान निर्धारित मान से कम होने पर ट्रिप करता है।

A distance relay measures the ratio V/I at its location, i.e. the impedance of the line up to the fault, which is proportional to the distance of the fault, and trips when it falls below the set value.

80.

विद्युत अभियांत्रिकी में कार्बन का प्रमुख अनुप्रयोग निम्नलिखित में से कौन-सा है?

Which of the following is a major application of carbon in electrical engineering?

(A)
परिपथों में अर्धचालक घटक
Semiconductor components in circuits
(B)
मोटरों में विद्युत संपर्क और ब्रश
Electrical contacts and brushes in motors
(C)
शक्ति पारेषण के लिए चालक तार
Conducting wires for power transmission
(D)
उच्च-वोल्टता केबलों के लिए विद्युतरोधी पदार्थ
Insulating material for high-voltage cables

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Answer: (B)

मोटरों में विद्युत संपर्क और ब्रश

Electrical contacts and brushes in motors

कार्बन (ग्रेफाइट) अच्छा चालक, स्व-स्नेहक और घिसाव-रोधी है, इसलिए मोटरों व जनित्रों के ब्रशों और विद्युत संपर्कों में इसका व्यापक उपयोग होता है।

Carbon (graphite) is a good conductor, self-lubricating and wear resistant, so it is widely used for brushes in motors and generators and for electrical contacts.

81.

जब दोनों इनपुट '1' हों, तो EX-OR गेट का आउटपुट कितना होता है?

What is the output of an EX-OR gate when both inputs are '1'?

(A)
अपरिभाषित
Undefined
(B)
1
(C)
Z
(D)
0

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Answer: (D)

EX-OR गेट केवल तभी 1 देता है जब इनपुट भिन्न हों। दोनों इनपुट 1 होने पर वे समान हैं, अतः आउटपुट 0 होगा।

An EX-OR gate outputs 1 only when its inputs differ. With both inputs 1 they are the same, so the output is 0.

82.

एज-ट्रिगरिंग और लेवल-ट्रिगरिंग के बीच क्या अंतर है?

What is the difference between edge-triggering and level-triggering?

(A)
एज-ट्रिगरिंग, लेवल-ट्रिगरिंग से तेज़ होता है।
Edge-triggering is faster than level-triggering.
(B)
एज-ट्रिगरिंग इनपुट के स्तर पर प्रतिक्रिया करता है, जबकि लेवल-ट्रिगरिंग संक्रमण पर प्रतिक्रिया करता है।
Edge-triggering responds to the level of the input, while level-triggering responds to the transition.
(C)
एज-ट्रिगरिंग घड़ी के संक्रमण पर प्रतिक्रिया करता है, जबकि लेवल-ट्रिगरिंग घड़ी के स्तर पर प्रतिक्रिया करता है।
Edge-triggering responds to the transition of the clock, while level-triggering responds to the level of the clock.
(D)
एज-ट्रिगरिंग के लिए लेवल-ट्रिगरिंग की तुलना में अधिक विद्युत-शक्ति की आवश्यकता होती है।
Edge-triggering requires more electrical power than level-triggering.

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Answer: (C)

एज-ट्रिगरिंग घड़ी के संक्रमण पर प्रतिक्रिया करता है, जबकि लेवल-ट्रिगरिंग घड़ी के स्तर पर प्रतिक्रिया करता है।

Edge-triggering responds to the transition of the clock, while level-triggering responds to the level of the clock.

एज-ट्रिगर डिवाइस केवल क्लॉक के बढ़ते या घटते संक्रमण पर अवस्था बदलता है, जबकि लेवल-ट्रिगर डिवाइस तब तक प्रतिक्रिया करता है जब तक क्लॉक अपने सक्रिय स्तर पर रहता है।

An edge-triggered device changes state only at the rising or falling transition of the clock, whereas a level-triggered device responds throughout the time the clock stays at its active level.

83.

त्रिआधारी प्रचालक (ternary operator) का उपयोग किस लूप/स्टेटमेंट के प्रतिस्थापन के रूप में किया जा सकता है?

The ternary operator can be used as a replacement for which loop/statement?

(A)
इफ-एल्स स्टेटमेंट (If-else statement)
If-else statement
(B)
फॉर लूप (For loop)
For loop
(C)
व्हाइल लूप (While loop)
While loop
(D)
स्वि च-केस स्टेटमेंट (Switch-case statement)
Switch-case statement

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Answer: (A)

इफ-एल्स स्टेटमेंट (If-else statement)

If-else statement

टर्नरी ऑपरेटर condition ? a : b किसी शर्त के आधार पर दो मानों में से एक चुनता है, अतः यह साधारण if-else कथन का संक्षिप्त विकल्प है, लूप का नहीं।

The ternary operator condition ? a : b chooses one of two values based on a condition, so it is a compact replacement for a simple if-else statement, not for loops.

84.

द्विआधारी संख्या 101110 का 2 का पूरक (complement) क्या है?

What is the 2's complement of the binary number 101110?

(A)
010011
(B)
010010
(C)
110001
(D)
010001

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Answer: (B)

010010

101110 का 1's कॉम्प्लिमेंट = 010001। इसमें 1 जोड़ने पर 2's कॉम्प्लिमेंट: 010001 + 1 = 010010। अतः उत्तर 010010 है।

1's complement of 101110 = 010001. Adding 1 gives the 2's complement: 010001 + 1 = 010010. So the answer is 010010.

85.

संरक्षण रिले प्रणाली में वरणात्मकता (selectivity) से तात्पर्य है:

Selectivity in a protection relay system refers to:

(A)
रिले की केवल विशिष्ट दोष प्रकारों के लिए प्रचालित होने की क्षमता
the ability of the relay to operate only for specific fault types
(B)
रिले की दोष और सामान्य स्थितियों के बीच विभेद करने की क्षमता
the ability of the relay to discriminate between fault and normal conditions
(C)
रिले की शेष प्रणाली को प्रभावित किए बिना दोषों को दूर करने की क्षमता
the ability of the relay to clear faults without affecting the rest of the system
(D)
रिले की सभी दोष स्थितियों के लिए न्यूनतम समय विलंब के साथ प्रचालित होने की क्षमता
the ability of the relay to operate with a minimal time delay for all fault conditions

Show answer and explanation

Answer: (C)

रिले की शेष प्रणाली को प्रभावित किए बिना दोषों को दूर करने की क्षमता

the ability of the relay to clear faults without affecting the rest of the system

चयनात्मकता (selectivity) सुरक्षा प्रणाली की वह क्षमता है जिससे केवल दोषपूर्ण भाग अलग होता है और शेष स्वस्थ प्रणाली चालू रहती है।

Selectivity (discrimination) is the ability of the protective system to isolate only the faulty section, leaving the healthy rest of the system in service.

86.

परावैद्युत सामर्थ्य विद्युत्-रोधी पदार्थों का एक महत्वपूर्ण गुणधर्म है। निम्नलिखित में से कौन-सा गुणधर्म, किसी पदार्थ की परावैद्युत सामर्थ्य का सर्वोत्तम वर्णन करता है?

Dielectric strength is an important property of insulating materials. Which of the following properties best describes the dielectric strength of a material?

(A)
कोई पदार्थ पिघलने से पहले जितनी ऊष्मा सहन कर सकता है
The amount of heat a material can withstand before melting
(B)
प्रतिबल के अधीन पदार्थ की विद्युत चालकता
The electrical conductivity of a material under stress
(C)
ऊष्मीय प्रसार के लिए पदार्थ का प्रतिरोध
The resistance of a material to thermal expansion
(D)
वह अधिकतम वोल्टता, जिसे एक परावैद्युत पदार्थ बिना टूटे सहन कर सकता है
The maximum voltage that a dielectric material can withstand without breaking down

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Answer: (D)

वह अधिकतम वोल्टता, जिसे एक परावैद्युत पदार्थ बिना टूटे सहन कर सकता है

The maximum voltage that a dielectric material can withstand without breaking down

परावैद्युत सामर्थ्य वह अधिकतम वोल्टता (प्रति इकाई मोटाई) है जिसे विद्युतरोधी पदार्थ विद्युत भंजन के बिना सह सकता है; इसे प्रायः kV/mm में व्यक्त करते हैं।

Dielectric strength is the maximum voltage (per unit thickness) an insulating material can withstand without electrical breakdown, usually expressed in kV/mm.

87.

8051 माइक्रोकंट्रोलर में ______ रजिस्टर बैंक होते हैं।

There are ______ register banks in the 8051 microcontroller.

(A)
तीन
three
(B)
चार
four
(C)
छह
six
(D)
दो
two

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Answer: (B)

चार

four

8051 में चार रजिस्टर बैंक (बैंक 0 से 3) हैं, प्रत्येक में आठ रजिस्टर R0–R7 होते हैं; ये आंतरिक RAM 00H–1FH पर हैं और PSW के RS1, RS0 बिट से चुने जाते हैं।

The 8051 has four register banks (Bank 0 to Bank 3) of eight registers R0–R7 each, located at internal RAM 00H–1FH and selected by the RS1 and RS0 bits of the PSW.

88.

n-प्रकार के अर्धचालक में, बहुसंख्यक आवेश वाहकों के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा विकल्प सत्य है?

In an n-type semiconductor, which of the following options is true regarding the majority charge carriers?

(A)
अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और छिद्रों की संख्या बराबर होती है।
The semiconductor has an equal number of electrons and holes.
(B)
बहुसंख्यक आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं।
The majority charge carriers are electrons.
(C)
बहुसंख्यक आवेश वाहक प्रोटॉन होते हैं।
The majority charge carriers are protons.
(D)
बहुसंख्यक आवेश वाहक छिद्र होते हैं।
The majority charge carriers are holes.

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Answer: (B)

बहुसंख्यक आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं।

The majority charge carriers are electrons.

n-प्रकार अर्धचालक में पंचसंयोजी दाता परमाणुओं का अपमिश्रण होता है जो अतिरिक्त मुक्त इलेक्ट्रॉन देते हैं, अतः इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक और होल अल्पसंख्यक वाहक हैं।

n-type semiconductors are doped with pentavalent donor atoms that supply extra free electrons, so electrons are the majority carriers and holes are the minority carriers.

89.

द्विध्रुवी संधि ट्रांजिस्टर (BJT) के बारे में निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही है?

Which of the following statements about a bipolar junction transistor (BJT) is correct?

(A)
IE = [ IC/β ] + βIB
(B)
संग्राहक धारा, उत्सर्जक धारा और आधार धारा का योग होती है।
Collector current is the sum of emitter current and base current.
(C)
यदि β उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक धारा लब्धि है, तो IC = βIE।
If β is the common emitter amplifier current gain, then IC = βIE.
(D)
उभयनिष्ठ आधार प्रवर्धक में धारा लब्धि, संग्राहक धारा और आधार धारा का अनुपात होती है।
The current gain in common base amplifier is the ratio of collector current to base current.

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Answer: (A)

IE = [ IC/β ] + βIB

IE = IC + IB। चूँकि IC = βIB, अतः IB = IC/β और IC = βIB लिख सकते हैं, इसलिए IE = IC/β + βIB। अन्य विकल्प धारा संबंधों को गलत लिखते हैं (जैसे IC = βIB होता है, βIE नहीं)।

IE = IC + IB. Since IC = βIB, we can write IB = IC/β and IC = βIB, so IE = IC/β + βIB. The other options mix up the current relations (for example IC = βIB, not βIE).

90.

तांबे और ऐलुमिनियम जैसे चालक पदार्थों में कठोरण (hardening) के प्रभाव का वर्णन निम्नलिखित में से कौन-सा करता है?

Which of the following describes the effect of hardening in conducting materials such as copper and aluminium?

(A)
यह तन्यता बढ़ाता है और प्रतिरोध घटाता है।
It increases ductility and reduces resistance.
(B)
यह विद्युत चालकता घटाता है और भंगुरता बढ़ाता है।
It reduces electrical conductivity and increases brittleness.
(C)
इसका पदार्थ के विद्युत गुणों पर कोई प्रभाव नहीं पड़ता।
It has no effect on the material's electrical properties.
(D)
यह कठोरता और तनन सामर्थ्य बढ़ाता है, लेकिन तन्यता घटाता है।
It increases hardness and tensile strength, but reduces ductility.

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Answer: (B)

यह विद्युत चालकता घटाता है और भंगुरता बढ़ाता है।

It reduces electrical conductivity and increases brittleness.

सही उत्तर: यह विद्युत चालकता घटाता है और भंगुरता बढ़ाता है। (आधिकारिक उत्तर कुंजी)।

Correct answer: It reduces electrical conductivity and increases brittleness. (official answer key).

91.

निम्नलिखित में से कौन-सी डिवाइस, OSI मॉडल के डेटा लिंक लेयर (Data Link Layer) पर संचालित होती है?

Which of the following devices operates at the Data Link Layer of the OSI model?

(A)
स्वि च (Switch)
Switch
(B)
मॉडेम (Modem)
Modem
(C)
फ़ायरवॉल (Firewall)
Firewall
(D)
राउटर (Router)
Router

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Answer: (A)

स्वि च (Switch)

Switch

स्विच MAC पते के आधार पर फ्रेम आगे भेजता है, जो डेटा लिंक लेयर (लेयर 2) से संबंधित हैं। राउटर नेटवर्क लेयर पर और मॉडेम फिज़िकल लेयर पर कार्य करता है।

A switch forwards frames using MAC addresses, which belong to the Data Link Layer (Layer 2). A router works at the Network Layer and a modem at the Physical Layer.

92.

बहुअनुरेख दोलनदर्शी (multiple trace oscilloscope) में, _________ दो संकेतों का प्रदर्शन प्राप्त किया जाता है।

In a multiple trace oscilloscope, the display of two signals is achieved _________.

(A)
एकाधिक फॉस्फोर स्क्रीन (phosphor screen) का उपयोग करके
by using multiple phosphor screens
(B)
दो इलेक्ट्रॉन गन (electron gun) का उपयोग करके
by using two electron guns
(C)
वैकल्पिक प्रसर्प (sweep) के साथ एकल इलेक्ट्रॉन गन का उपयोग करके
by using a single electron gun with alternating sweeps
(D)
डिजिटल डिस्प्ले पैनल (digital display panel) का उपयोग करके
by using a digital display panel

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Answer: (C)

वैकल्पिक प्रसर्प (sweep) के साथ एकल इलेक्ट्रॉन गन का उपयोग करके

by using a single electron gun with alternating sweeps

मल्टीपल-ट्रेस ऑसिलोस्कोप में एक ही इलेक्ट्रॉन गन होती है; इलेक्ट्रॉनिक स्विच प्रत्येक चैनल को बारी-बारी (alternate या chopped) स्वीप में दिखाता है। दो गन डुअल-बीम ऑसिलोस्कोप में होती हैं।

A multiple-trace oscilloscope uses a single electron gun; an electronic switch displays each channel in turn using alternate (or chopped) sweeps. Two guns are used in dual-beam oscilloscopes.

93.

संचार प्रणाली इंजीनियरिंग में DSB-SC का पूर्ण रूप क्या है?

What does DSB-SC stand for in communication system engineering?

(A)
Double Sideband with Single Carrier (डबल साइडबैंड विद सिंगल कैरियर)
Double Sideband with Single Carrier
(B)
Double Sideband Suppressed Carrier (डबल साइडबैंड सप्रेस्ड कैरियर)
Double Sideband Suppressed Carrier
(C)
Dual Sideband with Single Carrier (डुअल साइडबैंड विद सिंगल कैरियर)
Dual Sideband with Single Carrier
(D)
Dependent Sideband Suppressed Carrier (डिपेंडेंट साइडबैंड सप्रेस्ड कैरियर)
Dependent Sideband Suppressed Carrier

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Answer: (B)

Double Sideband Suppressed Carrier (डबल साइडबैंड सप्रेस्ड कैरियर)

Double Sideband Suppressed Carrier

DSB-SC का पूर्ण रूप Double Sideband Suppressed Carrier है: इसमें दोनों साइडबैंड भेजे जाते हैं पर वाहक दबा दिया जाता है, जिससे प्रेषित शक्ति की बचत होती है।

DSB-SC stands for Double Sideband Suppressed Carrier: both sidebands are transmitted but the carrier is suppressed, which saves transmitted power.

94.

ऋणात्मक पुनर्निवेश प्रवर्धक (negative feedback amplifier) के लिए निम्नलिखित में से कौन-सा कथन असत्य है?

Which of the following statements is FALSE for a negative feedback amplifier?

(A)
यह परिपथ के निर्गम में अरैखिक विरूपण को कम करता है।
It reduces nonlinear distortion in the output of the circuit.
(B)
यह निर्गम पर तापमान के प्रभाव को कम करता है।
It reduces the effect of temperature on the output.
(C)
यह परिपथ में उत्पन्न होने वाले निर्गम पर अवांछित विद्युत संकेतों को कम करता है।
It reduces unwanted electrical signals at the output generated in the circuit.
(D)
यह प्रवर्धक की बैंडविड्थ को कम करता है।
It reduces the bandwidth of the amplifier.

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Answer: (D)

यह प्रवर्धक की बैंडविड्थ को कम करता है।

It reduces the bandwidth of the amplifier.

ऋणात्मक पुनर्भरण लब्धि घटाता है पर बैंडविड्थ बढ़ाता है (लब्धि × बैंडविड्थ लगभग स्थिर रहता है), और विरूपण, शोर व ताप प्रभाव कम करता है। अतः बैंडविड्थ घटाने वाला कथन असत्य है।

Negative feedback lowers gain but increases bandwidth (gain × bandwidth stays nearly constant), and it reduces distortion, noise and temperature effects. So saying it reduces bandwidth is false.

95.

छोटे नेटवर्क (small network) या अस्थायी सेटअप (temporary setup) के लिए कौन-सी टोपोलॉजी सबसे उपयुक्त है?

Which topology is most suitable for small networks or temporary setups?

(A)
स्टार टोपोलॉजी (Star topology)
Star topology
(B)
रिंग टोपोलॉजी (Ring topology)
Ring topology
(C)
मेस टोपोलॉजी (Mesh topology)
Mesh topology
(D)
बस टोपोलॉजी (Bus topology)
Bus topology

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Answer: (D)

बस टोपोलॉजी (Bus topology)

Bus topology

बस टोपोलॉजी में केवल एक मुख्य (backbone) केबल होती है जिससे नोड जुड़ते हैं, इसलिए यह सस्ती और जल्दी स्थापित होती है; अतः छोटे नेटवर्क या अस्थायी व्यवस्था के लिए उपयुक्त है।

Bus topology needs only one backbone cable with nodes tapped onto it, so it is cheap and quick to set up, making it suitable for small networks or temporary setups.

96.

मॉनिटर किए जा रहे नेटवर्क डिवाइस पर कौन-सा SNMP घटक रहता है?

Which SNMP component resides on the network device being monitored?

(A)
प्रोटोकॉल एनालाइजर (Protocol Analyzer)
Protocol Analyzer
(B)
एसएनएमपी एजेंट (SNMP Agent)
SNMP Agent
(C)
एमआईबी सर्वर (MIB Server)
MIB Server
(D)
एसएनएमपी मैनेजर (SNMP Manager)
SNMP Manager

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Answer: (B)

एसएनएमपी एजेंट (SNMP Agent)

SNMP Agent

SNMP एजेंट प्रबंधित नेटवर्क डिवाइस (राउटर, स्विच, सर्वर) पर चलने वाला सॉफ़्टवेयर है; यह MIB डेटा रखता है और SNMP मैनेजर के अनुरोधों का उत्तर देता है।

The SNMP agent is software running on the managed network device (router, switch, server); it keeps the MIB data and answers the SNMP manager's requests.

97.

बाइनरी संख्या 110101 का समतुल्य षोडश आधारी (hexadecimal) क्या है?

What is the hexadecimal equivalent of the binary number 110101?

(A)
2B
(B)
38
(C)
6A
(D)
35

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Answer: (D)

दाएँ से 4-4 बिट के समूह बनाएँ: 110101 = 0011 0101। 0011 = 3 और 0101 = 5, अतः हेक्साडेसिमल मान 35 है।

Group the bits in 4s from the right: 110101 = 0011 0101. 0011 = 3 and 0101 = 5, so the hexadecimal value is 35.

98.

VSB (अवशिष्ट पार्श्वबैंड, Vestigial Sideband) मॉडुलन का प्राथमिक अनुप्रयोग क्या है?

What is a primary application of VSB (Vestigial Sideband) modulation?

(A)
टेलीफोनिक संचार
Telephonic communication
(B)
दूरदर्शन संकेत संचरण
Television signal transmission
(C)
FM रेडियो प्रसारण
FM radio broadcasting
(D)
उपग्रह संचार
Satellite communication

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Answer: (B)

दूरदर्शन संकेत संचरण

Television signal transmission

VSB में एक पूरा साइडबैंड और दूसरे का छोटा अंश (vestige) भेजा जाता है, जिससे बैंडविड्थ बचती है और निम्न वीडियो आवृत्तियाँ सुरक्षित रहती हैं; अतः इसका उपयोग टेलीविजन सिग्नल प्रसारण में होता है।

VSB sends one full sideband plus a small vestige of the other, saving bandwidth while preserving low video frequencies, so it is used for television signal transmission.

99.

एक PNP ट्रांजिस्टर में, जब उत्सर्जक संधि, अग्र बायसित होती है और संग्राही संधि, पश्च बायसित होती है, तो निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही है?

In a PNP transistor, when the emitter junction is forward biased and the collector junction is reverse biased, which of the following statements is correct?

(A)
एक PNP ट्रांजिस्टर में, धारा मुख्य रूप से N-प्ररूप आधार में इलेक्ट्रॉनों के कारण प्रवाहित होती है।
In a PNP transistor, current flows mainly due to electrons in the N-type base.
(B)
बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक धाराओं का योगफल संग्राहक धारा होता है।
The collector current is the sum of the majority and minority currents.
(C)
प्रयुक्त वोल्टता बढ़ने पर उत्सर्जक संधि का अवक्षय क्षेत्र बढ़ता है।
The depletion region of the emitter junction increases as the applied voltage increases.
(D)
N-प्ररूप आधार की अवक्षय चौड़ाई, P-प्ररूप संग्राहक की तुलना में कम होती है।
The depletion width of the N-type base is smaller than that of the P-type collector.

Show answer and explanation

Answer: (B)

बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक धाराओं का योगफल संग्राहक धारा होता है।

The collector current is the sum of the majority and minority currents.

सक्रिय क्षेत्र में IC = αIE + ICBO, अर्थात एमिटर से इंजेक्ट बहुसंख्यक वाहकों की धारा और अल्पसंख्यक वाहकों की क्षरण धारा ICBO का योग। अतः कलेक्टर धारा बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक धाराओं का योग है।

In the active region IC = αIE + ICBO, i.e. the majority-carrier current injected from the emitter plus the minority-carrier leakage current ICBO. So the collector current is the sum of majority and minority currents.

100.

एक विद्युत परिपथ में, दो प्रतिरोधक (R₁ = 5 Ω और R₂ = 10 Ω) 15 V बैटरी के साथ श्रेणी क्रम में संयोजित हैं। किरचॉफ के वोल्टता नियम (KVL) के अनुसार, R₂ में वोल्टता पात कितना है?

In an electrical circuit, there are two resistors (R₁ = 5 Ω and R₂ = 10 Ω) connected in series with a 15 V battery. What is the voltage drop across R₂, according to Kirchhoff’s Voltage Law (KVL)?

(A)
5 V
(B)
15 V
(C)
0 V
(D)
10 V

Show answer and explanation

Answer: (D)

10 V

श्रेणी धारा I = 15 ÷ (5 + 10) = 1 A। R₂ पर वोल्टता = I × R₂ = 1 × 10 = 10 V; R₁ पर 5 V, अतः 5 + 10 = 15 V, जो KVL को संतुष्ट करता है। अतः उत्तर 10 V है।

Series current I = 15 ÷ (5 + 10) = 1 A. Voltage across R₂ = I × R₂ = 1 × 10 = 10 V; with 5 V across R₁, 5 + 10 = 15 V satisfies KVL. So the answer is 10 V.

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